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磁光克爾(MOKE)效應測量系統

簡要描述:磁光克爾(MOKE)效應測量系統是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角精確測量的設備,使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的Z理想的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術、磁性薄膜等磁學領域。

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  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2021-06-02
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磁光克爾(MOKE)效應測量系統

當一束線偏振光照被磁性介質反射后,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度偏轉(克爾旋轉角),這一現象被稱為磁光克爾效應。后來這一效應被用來材料磁特性的研究。磁光克爾效應測量系統就是一套精確測量克爾旋轉角的設備。磁光克爾效應測量系統是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角精確測量的設備,使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術、磁性薄膜等磁學領域。

 

磁光克爾效應測量系統以激光作為光源,由于樣品磁光克爾效應的磁性信號主要來自于光斑照射的區域,因此磁光克爾效應測量系統具有良好的局域性,可以實現在微米區域內材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作為“探針”,因此對樣品不會造成任何損傷,實現對樣品的無損測量,這對于需要做多次測量的樣品是非常有利的。

 

磁光克爾效應測量系統具有*的靈敏度,對克爾旋轉角的探測精度可達到±0.001度。這一點使該設備在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用鐵芯電磁特產生外加磁場,可以提供高達25KOe的外加磁場。

磁光克爾(MOKE)效應測量系統

磁光克爾效應測量系統、磁性測量系統、MOKE system、微米區域克爾磁光效應測量系統、磁滯回線測量裝置

 

上海昊量光電設備有限公司的磁光克爾測量系統主要可分為以下三類:

 

①  極向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統)

代表產品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克爾效應(MOKE)測量設備是其中的一款,主要是對12英寸的垂直磁記錄介質磁特性的測量。可以精確的探測分析每個探測點的磁滯回線,該產品應用408nm的固體激光器,光斑直徑為1mm,外加磁場可高達25KOe。

 

 

<strong><strong><strong><strong>磁光克爾(MOKE)效應測量系統</strong></strong></strong></strong>

 

 

<strong><strong><strong><strong>磁光克爾(MOKE)效應測量系統</strong></strong></strong></strong>

 

 

②  向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統)

代表產品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自動測量晶圓磁特性和各向異性的磁光克爾測量系統。可以對12寸的晶圓進行多達400個不同點的磁滯回線的測量,并且探測結果以成像的形式顯示。

 

 

 

 

③   微區域磁光克爾效應測量系統(m-kerr system)(極向+縱向,MOKE磁滯回線測量系統

代表產品為BH-920系列。與前兩款產品相比, BH-920系列擁有更小的激光光斑,可以對微米區域內的磁特性進行研究。BH-P920-NH是可進行極向的微區域磁光克爾效應測量系統,該設備具有*的靈敏度可達到0.001°。與BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探測靈敏度并且兼具進行極向和縱向測量。

 

 

 

 

磁光克爾(MOKE)效應測量系統

 

 

u  主要特點

  • 高性能
  • 成本低
  • 高靈敏度(0.001°)
  • 高穩定性
  • 高外加磁場(25KOe

 

 

u  主要應用

磁性納米技術、磁性薄膜,磁性材料等磁學領域

 

 

u  測量項目

磁滯回線

X軸:外加磁場強度 H

Y軸:克爾旋轉角  qk

通過磁滯回線可獲得的參數

矯頑力 Hc

各向異性場 Hk

內稟矯頑力 Hn

飽和磁場強度 Hs

剩余磁化強度 qr

飽和磁化強度 qs

 

 

u  產品主要參數:

產品型號

參數

BH-PI920系列

BH-P920-NH

BH-PI920

BH-810CPC25WF12

BH-618SK-CA12

產品特點

微區域測量系統可滿足縱向/極向測量

極向微區域克爾測量裝置,具有高靈敏度

微區域測量系統可滿足縱向/極向測量,具有較高的靈敏度

極向磁光克爾效應測量,對PMR薄膜晶圓的磁特性測量

縱向磁光克爾測量系統,可進行多點磁滯回線的測量

激光光源

半導體激光器(405nm)

 

 

半導體激光器408nm

半導體激光器(405nm

光斑直徑

縱向測量

約 5mm [1/e2]

1-2mm

2-3mm

1mm

1´2mm

極向測量

約 2mm [1/e2]

探測靈敏度

± 0.005°

±0.001°

±0.001°

± 0.005°

± 0.005°

探測范圍

± 1°

 

 

 

 

外加磁場強度

極向磁體

  >±10kOe

>±10kOe

極向磁場

>±1.5T

>±25kOe

>±0.2T

面內磁場

>±10kOe

面內磁場

>±1T

可測樣品大小

5´5´1tmm~10´10´1tmm

 

5´5~10´10mm

t0.5~1mm

12inch wafer

12inch wafer

 

 

 

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